Cada, día, cada mes, cada año, los kilobites y los Gigas se multiplican y nuestros dispositivos nos permiten, cada vez más, guardar, guardar y guardar. Aplicaciones, fotos, música, documentos, contactos...todo cabe en, apenas, unos milímetros cuadrados. ¿Memoria interna? ¿Memoria externa? Ese es el dilema. En la década de los noventa y de mano de las primeras cámaras fotográficas digitales se popularizaron en el mercado las tarjetas de memoria flash. Los primeros formatos en salir al mercado fueron SmartMedia Card (SM/SMC), Compact Flash (CF) y Multimedia Card (MMC) con unas capacidades entre los ocho y los 32 MB y tiempos de lectura relativamente lentos. La extensión de su uso a otros productos electrónicos fomentó el crecimiento exponencial que hoy en día vive esta tecnología, dando lugar a multitud de formatos. De hecho es fácil encontrar en el mercado lectores universales de hasta 24 formatos de tarjeta distintos. Entre los más populares y junto a los tres anteriormente dichos encontramos las tarjetas Secure Digital (SD), Memory Stick de Sony y xD Picture-Card tarjeta desarrollada por Olimpus y Fuji que centra su uso en cámaras digitales. SD debe su nombre a la capacidad de preservar el copyright de la información evitando su grabación.
Desarrollo Pero, no tardó mucho en desarrollarse la tecnología y dar lugar a nuevos subformatos con mayores velocidades de lectura/grabación y de capacidad de datos. Aparece así CF tipo II, MMC+ y Memory Stick Pro. En los últimos años, la exigencia de mercado ha estado caracterizada por la miniaturización de los dispositivos electrónicos y, especialmente, del mundo de la telefonía móvil; por lo que los distintos formatos evolucionaron reduciendo sus dimensiones y su consumo. Aparecen, así, los formatos Mini SD, Micro SD (conocido como Transflash antes de recibir el certificado de la Secure Digital Card Association), RS-MMC (reduced size MMC), MMC Mobile, MMCmicro y Memory Stick Duo. Es posible que el lector eche en falta un tipo de tarjeta llamado Microdrive y que fue desarrollada por IBM y posteriormente por Toshiba. Con un interfaz del tipo Compact Flash tiene una diferencia sustancial respecto a las anteriores, ya que no es una memoria flash sino una memoria magnética de reducido tamaño de funcionamiento similar al de un disco duro.
Capacidad y velocidad En cuanto a las características técnicas de los distintos formatos tendríamos que citar como primordiales: la capacidad (fijado el tamaño del formato equivale a densidad de información) y la tasa de velocidad. El primer parámetro es fácilmente evaluable y no hay más que ojear cualquier catálogo para saber que cada día es mayor (ya se comercializan de varios Gigas) mientras que el segundo resulta más relativo. Por supuesto que las distintas conformaciones manejan diferentes órdenes de velocidad, pero ni siquiera las tarjetas de un mismo formato tienen la misma celeridad, pues esta depende tanto de la tecnología empleada por el fabricante como del tipo de criterio para marcar la tasa de velocidad. Unos usan el tiempo de lectura o bien el de escritura mientras que otros prefieren referirse a ambos y hablan de velocidad de transferencia de datos. En definitiva, la comparación genérica se vuelve muy difícil. No hay formato campeón. Debemos comentar también que, a diferencia de los discos magnéticos corrientes, los dispositivos basados en memoria flash tienen un número limitado de uso, normalmente entre 100.000 y un millón de usos por celda de información debido principalmente al proceso de modificación de las celdas, donde aparecen campos eléctricos muy elevados con el consiguiente deterioro del soporte. Por este motivo y unido a la demanda de bajo consumo de los aparatos portátiles se están desarrollando modificaciones para conseguir un régimen de trabajo de menor voltaje. Un ejemplo lo tenemos en la tarjeta MMC Mobile, también denominada RS-DV-MMC (Dual Voltage) que opera en el rango de los 1’8 V manteniendo también la opción de trabajar en 3’6 V asegurando la compatibilidad con los anteriores modelos.
Memoria FLASH La memoria flash fue desarrollada por Intel en 1988 como evolución de la memoria EEPROM (electrically-erasable programmable read-only memory), como puede ser una SIM cualquiera. Esta tecnología no volátil denominada memoria semiconductora, en contraposición a las usuales memorias magnéticas, presentan cierta ventajas entre las que destacan su gran resistencia a vibraciones y a campos magnéticos, lo que le confiere gran fiabilidad. Son ligeras, versátiles y su tamaño las hace más que apropiadas para dispositivos móviles. Su uso no se limita al mundo de las tarjetas almacenadoras sino que además está integrada en muchos chip de componentes electrónicos o electrodomésticos así como en reproductores MP3. Su funcionamiento se basa en un conjunto de celdas formadas por un tipo de transistor evolucionado denominado FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor). No entraremos en detalles de la forma de trabajar de FAMOS, pero para dar una idea aproximada -aunque errónea en sí-, podemos pensar en situar electrones en diferentes puntos del transistor para generar o evitar un paso de corriente. Si originalmente cada celda equivalía a un bit, hoy en día se pueden encontrar dispositivos de celdas multicanal que permiten el almacenamiento de más de un bit cuantificando el número de electrones. Esta tecnología tiene dos grandes vertientes en función de la puerta lógica que usen: el tipo NOR o el tipo NAND. Veamos sus ventajas y sus inconvenientes: La tecnología NOR tiene un coste entre dos y cuatro veces mayor que la NAND por bit, pero ofrece un acceso aleatorio a los bits (entiéndase aleatorio en el sentido de la memoria RAM, random access memory, que implica que el tiempo de acceso a cualquier bit es el mismo) en contraposición a la tecnología NAND que ofrece un acceso secuencial por bloques de bits, lo cual le confiere unos tiempos de lectura y de modificación mayores. El borrado es orientado a bloques para ambas, pero el tiempo de borrado es en los dispositivos NOR apreciablemente mayor. La fiabilidad de NOR es bastante más alta que la de NAND, mostrándose casi inmunes a la corrupción de datos y apenas presentan errores en bloques. En cambio NAND requiere corrección de datos y con frecuencia presentan bloques inservibles, pero sin embargo poseen mayor densidad de almacenamiento.
Si (
No(
